У той час, як SK Hynix вже утвердився на ринку мікросхем з високою пропускною здатністю, завдяки високошвидкісній пам'яті HBM, Samsung планує використовувати CXL DRAM для задоволення зростаючого попиту на високопродуктивні модулі пам'яті, необхідні для штучного інтелекту.
Що відомо
Samsung активно розвиває пам'ять CXL DRAM, щоб скористатися зростаючим попитом на високопродуктивні модулі пам'яті, викликаним бумом штучного інтелекту. Компанія вже понад 10 років займається розробкою CXL та у 2021 році презентувала першу в галузі пам'ять CXL DRAM, а у 2022 році Samsung випустила перший у світі чип CXL DRAM ємністю 512 ГБ.
Віцепрезидент Samsung Чангсок Чой (Jangseok Choi) повідомив, що масове виробництво DRAM 256 ГБ, сумісної з CXL 2.0, розпочнеться наприкінці цього року. Очікується, що ринок CXL буде стрімко розвиватися в другій половині цього року і "вибухово зростатиме" з 2028 року.
CXL (computer express link) підвищує ефективність DRAM та інших модулів зберігання даних під час використання у високопродуктивних серверах, що дає змогу значно збільшити обсяг пам'яті та пропускну здатність. Це особливо важливо для штучного інтелекту і машинного навчання, які вимагають величезної потужності обробки даних. Samsung прагне не упустити можливість і зайняти провідні позиції в цій швидкозростаючій галузі.
Джерело: Sammobile